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          Transphorm推出參考設計組合,加快USB-C PD氮化鎵電源適配器的開發

          2022-07-05 09:29:29 來源:EETOP

          公司內部以及合作開的七款設計工具可以45W140W 適配器來高性能650V氮化FET優勢

          加州戈利塔--(新聞稿)-- (美國商業資訊)--高可靠性、高性能氮化(GaN)轉換產品的先和全球供Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出七款參考設計,旨在加快基于氮化USB-C PD源適配器的研。參考設計組合包括廣泛的開放式框架設計選項,覆蓋多種拓撲構、出和功率(45W140W)。

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          SuperGaN?的差異化優勢 
          源適配器參考設計采用SuperGaNIV650V FET,具有設計簡單、可靠性高和性能優勢,些特點已Transphorm氮化器件的代名。在最近的比分析中,與175毫歐的e-mode氮化器件 相比,Transphorm240毫歐SuperGaN FET在溫度超75℃時顯示出更低的阻上升幅度,并在50%100%(全)功率下有更高的性能。

          了解兩種氮化解決方案之間對比的更多情。

          源適配器參考設計 
          Transphorm的參考設計組合包括五款開放框架的USB-C PD參考設計,率范140300 kHz。其中包括TransphormSilanna Semiconductor合作開的一款65W有源位反激模式(ACF)參考設計,運行140kHz,峰效率94.5%。

          · (1x) 45W適配器參考設計采用準振反激模式(QRF)拓撲構,可提供24 W/in3的功率密

          · (3x) 65W適配器參考設計采用ACFQRF拓撲構,可提供30 W/in3的功率密度

          · (1x) 100W適配器參考設計采用功率因數校正(PFC)+QRF拓撲構,可提供18 W/in3 功率密度

          Transphorm的參考設計組包括兩款開放框架的USB-C PD/PPS參考設計,率范110140 kHz。TransphormDiodes Inc.合作開兩款解決方案,利用公司的ACF控制器實現了超93.5%的峰效率。

          · (1x) 65W適配器參考設計采用ACF拓撲構,可提供29 W/in3的功率密度

          · (1x) 140W適配器參考設計采用PFC+ACF拓撲構,可提供20 W/in3的功率密度

          Transphorm現場應用和技術銷售副Tushar Dhayagude表示:“Transphorm獨具優勢,可提供唯一能適用于廣泛用的、涵蓋眾多功率水平的氮化FET合。我源適配器參考設計出我的低 功率能力。我提供與控制器無關的PQFNTO-220器件,可以極大地設計。優勢以及其他特點有助于客快速、松地將 具有突破性功率效率水平的氮化解決方案推向市。正是Transphorm氮化器件的價所在。

          查閱當前提供的源適配器參考設計組合。

          關于Transphorm 
          Transphorm, Inc.是氮化革命的全球領導者,致力于設計、制造和售用于高壓電轉換應用的高性能、高可靠性的氮化體功率器件。Transphorm有最大的功率氮化 識產合之一,持有或取得授利超1,000,在界率先生產經JEDECAEC-Q101認證的高氮化 器件。得益于垂直整合的業務模式,Transphorm品和技的每一個新:設計、制造、器件和用支持。 Transphorm新正在使設備突破硅的局限性,以使效率超99%、將功率密度提高40%以及將系成本降低 20%。Transphorm部位于加州戈利塔,并在戈利塔和日本會津有制造工廠。如需了解更多信息,請訪問www.transphormchina.com。迎在Twitter @transphormusa和微信@Transphorm_GaN上關注我。

          聲明:本公告之原文版本乃官方授版本。供方便了解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

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